Drain-source voltage漏源电压
Continuous drain current连续漏电流
TC = 25°C (Silicon limit)
TC = 25°C (Package limit)
TC = 100°C (Silicon limit)
172A
120A
109A
VDS
100 V
ID
Pulsed drain current 脉冲漏电流(TC = 25°C, tp limited by Tjmax)
ID pulse
480A
Avalanche energy, single pulse 单脉冲雪崩能量(L=0.5mH, Rg=25Ω)
EAS
256mJ
Gate-Source voltage栅源电压
VGS
±20V
Power dissipation 功耗(TC = 25°C)
Ptot
227W
Operating junction and storage temperature 工作和储存温度
Tj
, T stg
-55+150℃
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