二极管直流正向电流 (TC=25℃)：12A
耗散功率 @TC=100℃：42W
高集电极-发射极直流电压：670mJ
Tstg
存储温度范围：-55~150℃
Ifm
二极管脉冲正向电流 (TC=25℃)：48A
If
二极管直流正向电流 (TC=100℃) ：7.5A
Pd
耗散功率 @TC=25℃：0.34W/℃
Vges
高栅极-发射极直流电压：±30V
型号：CS12N60FA9R 漏极电流（Id）：12A
FET类型：N沟道MOSFET管
漏源电压（Vdss）：600V
漏源导通电阻(RDS On)：0.57mR
深圳市达纬思电子有限公司主营代理华润微MOS、IGBT全系列产品，有为客户提供配套服务20年经验，为广大客户提供贴片电容、电阻、二三极管、LED、钽电容、MCU、CUP等电子元器件配套服务。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任！
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