二极管直流正向电流 (TC=25℃)：4A
耗散功率 @TC=100℃：75W
Tstg
存储温度范围：-55~150℃
Ifm
二极管脉冲正向电流(TC=25℃)： 16A
If
二极管直流正向电流 (TC=100℃) ：2.5A
Pd
耗散功率 @TC=25℃：0.6W/℃
Vges
栅极直流电压：±30V
型号：CS4N60A4R代替FDD4N60NZ、IPD60R2K1CE、STD4NK60ZT4 TO-252 4A 600V
漏源电压（Vdss）：600V
漏极电流（Id）：4A
漏源导通电阻(RDS On)：2.1mR
FET类型：场效应MOS管
深圳市达纬思电子有限公司主营代理华润微MOS、IGBT全系列产品，有为客户提供配套服务20年经验，为广大客户提供贴片电容、电阻、二三极管、LED、钽电容、MCU、CUP等电子元器件配套服务。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任！
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